北京大學葉堉研究員課題組提出了一種利用相變和重結晶過程制備晶圓尺寸單晶半導體相碲化鉬（MoTe2）薄膜的新方法。該工作以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-crystal films of the van der Waals semiconductor 2H MoTe2”為題，發表在學術期刊《科學》上。
圖源：北京大學物理學院
北京大學物理學院消息顯示，實驗中，研究組首先通過碲化磁控濺射鉬膜的方法得到含有碲空位的晶圓尺寸多晶1T'相MoTe2薄膜。然后，通過定向轉移技術將機械剝離的單晶MoTe2納米片作為誘導相變的籽晶轉移到1T'-MoTe2晶圓的正中央，通過原子層沉積的致密氧化鋁薄膜隔絕1T'相MoTe2薄膜與環境中的Te原子接觸抑制其他成核。
隨后在種子區域內打孔，使種子區域成為Te原子補給并維系1T'到2H相變的唯一通道，通過面內二維外延實現了單一成核相變生長的單晶薄膜。
整個相變過程伴隨著以異質界面處2H相MoTe2為模板的重結晶過程，使得相變后的整個薄膜的晶格結構和晶格取向與籽晶完全一致，最終得到晶圓尺寸的單晶MoTe2薄膜。將得到的晶圓尺寸單晶MoTe2作為模板，通過再次蒸鍍鉬膜以及再次碲化的方法，可以在垂直方向上實現對該晶圓的快速外延，制備二維半導體的塊材單晶晶圓。
據悉，以該薄膜為溝道材料，結合課題組之前發展的MoTe2相變工程方法制備的大面積1T'/2H/1T'相面內異質結場效應晶體管陣列，器件體現出100%的良率，并具有很好的電學性能，且其電學性能表現出很好的均一性。
此外，這一工作還得到了國家重點研發計劃、國家自然科學基金、北京市自然科學基金、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室等支持。
源文地址：https://www.eefocus.com/component/490806
版權聲明： 本站內容除原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：0756-8632035；郵箱：zhcce@chnchip.com.cn。
珠海市中芯集成電路有限公司是一家專業從事集成電路后序加工的高科技電子公司，可以為客戶提供晶圓測試（wafer testing）、晶圓切割Dicing Saw（半切及貼膜全切） 、晶圓研磨減?。╳afer back grinding）、成品測試及tcp/cof/cob封裝等全方位的服務。公司是中國半導體行業協會會員，珠海市軟件行業協會副會長單位，獲授國家高新技術企業，廣東省“守合同重信用”企業，通過ISO 9001：2008和ISO 9001：2015體系認證。中芯的行為準則是“以客戶為中心，以質量求生存，以服務求發展！”，希望通過我們的專業程度和不懈的努力，為客戶提供低成本、高品質的產品。
