設為首頁≡加入收藏
English 簡體中文
您好~歡迎光臨珠海市中芯集成電路有限公司網站~

珠海市中芯集成電路有限公司
咨詢熱線：

0756-8632035

CHNCHIP ENGINEERING CO.,LTD.
搜索
CUSTOMER      

以客戶為中心  

quality
以質量求生存 
SERVICE
 以服務求發展

       新聞動態
           NEWS
<<返回首頁
    您的位置：
網站首頁 ∷ 技術資訊 ∷ 晶圓切割制程
晶圓切割制程
來源:文仔的博客 | 作者:chnchip | 發布時間: 2020-12-29 | 8674 次瀏覽 | 分享到:
       晶圓切割制程：繃片 → 切割 → UV照射

       晶圓切割（Dicing），也叫劃片（Die Sawing），是將一個晶圓上單獨的die通過高速旋轉的金剛石刀片（也有激光切割技術）切割開來，形成獨立的單顆的晶片，為后續工序做準備。

       繃片（Wafer Mounter），是一個切割前的晶圓固定工序，在晶圓的背面貼上一層藍膜，并固定在一個金屬框架（Frame）上，以利于后面切割。在貼膜的過程中要加60℃~80℃溫度，使藍膜能牢固粘貼在晶圓上（一般實際加工過程時貼膜后放入烘烤箱烘烤），防止切割過程由于粘貼不牢造成die飛出。

       切割過程中需要用DI離子水沖去切割產生的硅渣和釋放靜電，DI離子水由CO2純水機制備。將二氧化碳氣體溶于離子水中，降低水的阻抗，從而利于釋放靜電。

       UV照射是用紫外線照射切割完的藍膜，降低藍膜的粘性，方便后續挑粒。

       切割分為半切和全切兩種。半切是切割4/5晶圓厚度，不會切透晶圓，然后用機械方式（銅棒滾過）使其自動裂口形成獨立die。這種方式費用低，一般用于挑粒裝盒的方式中，可以不用貼藍膜，但容易發生背崩。全切即將晶圓切透，切割前要貼膜，會切割到藍膜。這種方式一般用在選擇晶片留藍膜上出貨的客戶。

       每個die之間會留有間隙，成為切割道（saw street），刀片沿著切割道切割。

       晶圓劃片工藝的重要質量缺陷
       因為硅材料的脆性，機械切割方式會對晶圓的正面和背面產生機械應力，結果在芯片的邊緣產生正面崩角（FSC—Front Side Chipping）及背面崩角（BSC—Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續的封裝工藝中或在產品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂。另外，如果崩角進入了用于保護芯片內部電路、防止劃片損傷的密封環（Seal Ring）內部時，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。
       封裝工藝設計規則限定崩角不能進入芯片邊緣的密封圈。如果將崩角大小作為評核晶圓切割質量／能力的一個指標，則可用公式來計算晶圓切割能力指數（Cpk）（圖1）。

圖1劃片能力指數的計算

       D1、D2代表劃片街區中保留完整的部分，FSC是指正面崩角的大小。依照封裝工藝設計規則，D1、D2的最小值可以為0，允許崩角存在的區域寬度D為 （街區寬度-刀痕寬度)/2， 為D1、D2的平均值， 為D1、D2的方差。依統計學原理，對于一個合格的劃片工藝而言，其切割能力指數應大于1.5。



源文地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_69109d9a0100y82h.html
版權聲明： 本站內容除原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：0756-8632035；郵箱：zhcce@chnchip.com.cn。

珠海市中芯集成電路有限公司是一家專業從事集成電路后序加工的高科技電子公司，可以為客戶提供晶圓測試（wafer testing）、晶圓切割Dicing Saw(半切及貼膜全切) 、晶圓研磨減?。╳afer back grinding）、成品測試及tcp/cof/cob封裝等全方位的服務。公司是中國半導體行業協會會員，珠海市軟件行業協會副會長單位，獲授國家高新技術企業，廣東省“守合同重信用”企業，通過ISO 9001：2008和ISO 9001：2015體系認證。中芯的行為準則是“以客戶為中心，以質量求生存，以服務求發展！”，希望通過我們的專業程度和不懈的努力，為客戶提供低成本、高品質的產品為目標。

1000部禁片未18勿进辣范